com desenvolvimento micro-eletrônico surgiram os primeiros Circuitos integrados (CI) e com eles novos padrões de encapsulamento implementado técnicas
variadas de acondicionar, numa pastilha de silício. dezenas, centenas, e milhares até milhôes de transitores.
A memória RAM utilizadas nos microcomputadores é encapsulada em diversos padrões. Entre eles destacam-se:
•DIP
•SIPP
•SIMM
•DIMM
SIMM - Single Inline Memory Module.
Pela sua praticidade instalaão e pele tecnologia de fabricação, este padrão de encapsulamento foi largamente utilizado com processadores da 3° geração, estendendo-se até processadores da 5° geração.
Os padrões de memória DRAM, desenvolvidos com encapsulamento SIMM são:
•FPM
•EDO
FPM - Fast Page Mode .
A DRAM transfere os dados Para a chache em grupos de 4 leituras. Por exemplo, para o processador que usa o clock externo de 66 MHZ (CPU de 133, 166, 200 MHZ .) é recomendável os tempos de leitura: 7-3-3-3.
O ciclo do processador é calculado seguinte forma:
T= 1s / clock externo
O pentium 166 utiliza o clock externo de 66 MHz. neste caso, o ciclo do processador é:
T= 1s / 66.000.000 = 15 ns
Para os tempos de leitura 7-3-3-3, serão gastos:
1° leitura: 7 x 15 ns = 105 ns.
2° leitura: 3 x 15 ns = 45 ns.
3° leitura: 3 x 15 ns = 45 ns.
4° leitura: 3 x 15 ns = 45 ns.
A primeira leitura demora mais que as seguintes porque contém o endereço linha e o endereço das colunas. As leituras seguintes não precisam do endereço da linha porque utilizam o mesmo endereço da 1° linha, variando apenas o endereço da coluna. Como vimos, basta alterar o endereço da coluna, mantendo o mesmo endereço da linha. Por isso, esta técnica é chamada de fast page mode.
EDO - Extended Data Output ( Saída Extendida de dados ). As memórias EDO surgiram com o advento dos processadores de 5° geração. Desenvolvidas com o tempo de acesso de 60ns ou 70ns, permitem que um ciclo possa ser iniciado antes do termino do ciclo anterior. Ao mesmo tempo que envia um dado ao processador, faz a busca do dado seguinte.
DIMM - Dual Inline Memory Module
Esse padrão de encapsulamento surgiu com o advento do processador Pentium. O módulo DIMM contém 168 pinos e barramento de dados de 64 bits. Isso significa que cada módulo de memória DIMM é um banco completo para uma CPU 586 / Pentium, cujo barramento dados é de 64 bits.
Os padrões de memória DRAM desenvolvidos com o encapusulamento DIMM são.
• FPM - Fast Page Mode ( Modo de paginação rápida ).
• EDO - Extended Data Output ( Saída de dados estendida ).
• SDRAM - Sincrona DRAM.
SDRAM - RAM DINÂMICA SINCRONA - Tranfare dados com velocidade superior a 100 MHz, ao passo que uma DRAM comum tem velocidade de 25 mhz. Possui um clock interno que controla a operação de leitura e gravação em sincronismo com o processador. São desenvolvidas com encapsulamento de 168 vias e são aplicadas em placas de CPU 586 e 686, com chipsets i430 VX ou com chipsets mais evoluídos. Placas de CPU Pentium 2 com chipsets i430LX e i430BX também suportam SDRAM.
A memória RAM utilizadas nos microcomputadores é encapsulada em diversos padrões. Entre eles destacam-se:
•DIP
•SIPP
•SIMM
•DIMM
SIMM - Single Inline Memory Module.
Pela sua praticidade instalaão e pele tecnologia de fabricação, este padrão de encapsulamento foi largamente utilizado com processadores da 3° geração, estendendo-se até processadores da 5° geração.
Os padrões de memória DRAM, desenvolvidos com encapsulamento SIMM são:
•FPM
•EDO
FPM - Fast Page Mode .
A DRAM transfere os dados Para a chache em grupos de 4 leituras. Por exemplo, para o processador que usa o clock externo de 66 MHZ (CPU de 133, 166, 200 MHZ .) é recomendável os tempos de leitura: 7-3-3-3.
O ciclo do processador é calculado seguinte forma:
T= 1s / clock externo
O pentium 166 utiliza o clock externo de 66 MHz. neste caso, o ciclo do processador é:
T= 1s / 66.000.000 = 15 ns
Para os tempos de leitura 7-3-3-3, serão gastos:
1° leitura: 7 x 15 ns = 105 ns.
2° leitura: 3 x 15 ns = 45 ns.
3° leitura: 3 x 15 ns = 45 ns.
4° leitura: 3 x 15 ns = 45 ns.
A primeira leitura demora mais que as seguintes porque contém o endereço linha e o endereço das colunas. As leituras seguintes não precisam do endereço da linha porque utilizam o mesmo endereço da 1° linha, variando apenas o endereço da coluna. Como vimos, basta alterar o endereço da coluna, mantendo o mesmo endereço da linha. Por isso, esta técnica é chamada de fast page mode.
EDO - Extended Data Output ( Saída Extendida de dados ). As memórias EDO surgiram com o advento dos processadores de 5° geração. Desenvolvidas com o tempo de acesso de 60ns ou 70ns, permitem que um ciclo possa ser iniciado antes do termino do ciclo anterior. Ao mesmo tempo que envia um dado ao processador, faz a busca do dado seguinte.
DIMM - Dual Inline Memory Module
Esse padrão de encapsulamento surgiu com o advento do processador Pentium. O módulo DIMM contém 168 pinos e barramento de dados de 64 bits. Isso significa que cada módulo de memória DIMM é um banco completo para uma CPU 586 / Pentium, cujo barramento dados é de 64 bits.
Os padrões de memória DRAM desenvolvidos com o encapusulamento DIMM são.
• FPM - Fast Page Mode ( Modo de paginação rápida ).
• EDO - Extended Data Output ( Saída de dados estendida ).
• SDRAM - Sincrona DRAM.
SDRAM - RAM DINÂMICA SINCRONA - Tranfare dados com velocidade superior a 100 MHz, ao passo que uma DRAM comum tem velocidade de 25 mhz. Possui um clock interno que controla a operação de leitura e gravação em sincronismo com o processador. São desenvolvidas com encapsulamento de 168 vias e são aplicadas em placas de CPU 586 e 686, com chipsets i430 VX ou com chipsets mais evoluídos. Placas de CPU Pentium 2 com chipsets i430LX e i430BX também suportam SDRAM.
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